原子层沉积（ALD）
原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)是一种基于自限制表面化学反应的先进薄膜沉积技术，可在原子尺度实现厚度精确可控、均匀性优异的三维保形薄膜。特别适用于锂电池、半导体、光伏等领域的高性能纳米涂层制备。
产品原理
ALD通过交替脉冲前驱体气体(如金属有机化合物/H,0/0:等)，每个前驱体与基底表面发生自限制化学反应，单次循环仅生长单原子层(~0.1nm/cycle)，实现亚纳米级厚度控制。
产品优势
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高覆盖率100%阶梯覆盖率（高深宽比结构） -
效果显著膜厚与循环次数线性相关。 -
低温工艺低温工艺兼容（350℃） -
特种功能可沉积Al₂O₃、LiPON、TiO₂、HfO₂、ZnO等功能材料。
适用领域
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电子 / 半导体行业高 k 氧化物 (HfO₂、Al₂O₃)、金属氮化物 (TiN、TaN)、贵金属 (Ru、Ir) -
新能源行业金属氧化物 (Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂)、含锂化合物 (Li₃PO₄、LiAlO₂)、氟化物 (AlF₃) -
新材料行业氟化物：AlF₃、LiAlF₄(电池保护) 硫化物：MoS₂、WS₂(二维材料、催化) 碳基：类金刚石碳 (DLC)、石墨烯复合膜
适用材料
粉体材料